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1×4 1x8雙向磁光開關(guān)

簡(jiǎn)要描述：1×4 1x8雙向磁光開關(guān) 特性應(yīng)用
低插入損耗無(wú)源光網(wǎng)絡(luò)
結(jié)構(gòu)緊湊光保護(hù)系統(tǒng)

產(chǎn)品型號(hào)：
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間：2024-12-23
訪問(wèn) 量：2235

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光開關(guān)系列

光開關(guān)矩陣 mems光開關(guān)器件硅基高速納秒光開關(guān)模塊硅基光開關(guān)陣列電光納秒光開關(guān) MEMS光開關(guān)陣列機(jī)械式光開關(guān)模塊機(jī)械式光開關(guān)1x2,2x2 臺(tái)式光開關(guān) MEMS光開關(guān)1XN 1x4 1x8雙向磁光開關(guān) 1x2 2x2 磁光開關(guān)

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詳細(xì)介紹

品牌	梓冠	價(jià)格區(qū)間	面議
組件類別	光學(xué)元件	應(yīng)用領(lǐng)域	化工,能源,電子/電池,電氣,綜合
波長(zhǎng)	1525~1565nm	封裝形式	器件

1×4 1x8雙向磁光開關(guān)

特性	應(yīng)用
低插入損耗	無(wú)源光網(wǎng)絡(luò)
結(jié)構(gòu)緊湊	光保護(hù)系統(tǒng)
us級(jí)切換速度	測(cè)量系統(tǒng)
超低功耗	網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控

參數(shù)規(guī)格

規(guī)格	單位	參數(shù)
		不可逆	可逆
波長(zhǎng)范圍	nm	1525 ~ 1565
插入損耗	dB	2.0 (Typ.); 3.0 (Max.)
偏振相關(guān)損耗	dB	0.2 (Typ.); 0.3(Max.)
回?fù)p	dB	40	30
串?dāng)_	dB	40	35
偏振模式色散	ps	0.2
重復(fù)性	dB	+/- 0.01
持續(xù)性	cycles	> 30 Billions
切換速度	μs	10~30us/200 ~400
工作溫度	°C	-20 ~ 70
存儲(chǔ)溫度	°C	-40 ~ 85
光功率	mW	500
尺寸( L×W×H )	mm	90×76×17.5

*. 所有規(guī)格的損耗不包括連接頭的損耗，并且不包括在特殊環(huán)境下的損耗.

驅(qū)動(dòng)管腳定義

針腳	Pin1	Pin2	Pin3	Pin4	Pin5	Pin6
定義	VCC	GND	Ctrl 0	Ctrl 1	NA	NA

控制信號(hào)和切換狀態(tài)

表1：?jiǎn)蜗蜷_關(guān)切換狀態(tài)對(duì)應(yīng)的引腳控制信號(hào)

Ctrl 0	0	0	1	1	0	0	1	1
Ctrl 1	0	1	0	1	0	1	0	1
Optical Path	IN→OUT 1	IN→OUT 2	IN→OUT 3	IN→OUT 4	OUT4→IN	OUT3→IN	OUT2→IN	OUT1→IN

表2：雙向開關(guān)切換狀態(tài)對(duì)應(yīng)的引腳控制信號(hào)

Ctrl 0	0	0	1	1
Ctrl 1	0	1	0	1
Optical Path	INOUT 1	INOUT 2	INOUT 3	INOUT 4

電控參數(shù)

參數(shù)	規(guī)格	單位
切換速度	200~400	μs
開關(guān)電壓(VCC)	5 (+/-5%)	V
開關(guān)電流	< 200	mA
脈沖寬度	1000	μs
頻率	<800	Hz

備注：超過(guò)此驅(qū)動(dòng)電壓會(huì)損壞器件。

訂購(gòu)信息 MOS-1×4 -A-B-C-D-E-F

工作模式

切換速度

工作波長(zhǎng)

光纖類型

光纖長(zhǎng)度

連接頭類型

1.常規(guī)

2.雙向

1.200~400us

2.10~30us

3. 其他

1.C波段1525~1565 nm

2.L 波段1565-1615 nm

3. C & L 波段

4. 其他

1.250μm fiber

2. 900μm fiber

3. 其他

1.0.5 +/- 0.1 m

2. 1.0 +/- 0.1 m

3. 其他

0.無(wú)接頭

1. FC/UPC

2. FC/APC

3. SC/UPC

4. SC/APC

5. LC/PC

6. MU/PC

7. Others

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