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1x8微秒級(jí)雙向磁光開(kāi)關(guān)

簡(jiǎn)要描述：1x8微秒級(jí)雙向磁光開(kāi)關(guān)
低插入損耗；
無(wú)源光網(wǎng)絡(luò)
光保護(hù)系統(tǒng)
測(cè)量系統(tǒng)
網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控
結(jié)構(gòu)緊湊；
us級(jí)切換速度；
超低功耗。

產(chǎn)品型號(hào)：MOS-1×4 -A-B-C-D-E-F
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間：2024-12-24
訪問(wèn) 量：1631

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光開(kāi)關(guān)系列

光開(kāi)關(guān)矩陣 mems光開(kāi)關(guān)器件硅基高速納秒光開(kāi)關(guān)模塊硅基光開(kāi)關(guān)陣列電光納秒光開(kāi)關(guān) MEMS光開(kāi)關(guān)陣列機(jī)械式光開(kāi)關(guān)模塊機(jī)械式光開(kāi)關(guān)1x2,2x2 臺(tái)式光開(kāi)關(guān) MEMS光開(kāi)關(guān)1XN 1x4 1x8雙向磁光開(kāi)關(guān) 1x2 2x2 磁光開(kāi)關(guān)

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詳細(xì)介紹

品牌	梓冠	價(jià)格區(qū)間	面議
組件類別	光學(xué)元件	應(yīng)用領(lǐng)域	化工,能源,電子/電池,電氣,綜合
波長(zhǎng)	1525~1565nm	切換速度	10~30/200~400us
封裝形式	器件

1×4/1x8微秒級(jí)雙向磁光開(kāi)關(guān)

產(chǎn)品介紹

特性	應(yīng)用
低插入損耗	無(wú)源光網(wǎng)絡(luò)
結(jié)構(gòu)緊湊	光保護(hù)系統(tǒng)
us級(jí)切換速度	測(cè)量系統(tǒng)
超低功耗	網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控

二、參數(shù)規(guī)格

規(guī)格	單位	參數(shù)
		不可逆	可逆
波長(zhǎng)范圍	nm	1525 ~ 1565
插入損耗	dB	2.0 (Typ.); 3.0 (Max.)
偏振相關(guān)損耗	dB	0.2 (Typ.); 0.3(Max.)
回?fù)p	dB	40	30
串?dāng)_	dB	40	35
偏振模式色散	ps	0.2
重復(fù)性	dB	+/- 0.01
持續(xù)性	cycles	> 30 Billions
切換速度	μs	10~30us/200 ~400
工作溫度	°C	-20 ~ 70
存儲(chǔ)溫度	°C	-40 ~ 85
光功率	mW	500
尺寸( L×W×H )	mm	90×76×17.5

所有規(guī)格的損耗不包括連接頭的損耗，并且不包括在特殊環(huán)境下的損耗。

三、驅(qū)動(dòng)管腳定義

針腳	Pin1	Pin2	Pin3	Pin4	Pin5	Pin6
定義	VCC	GND	Ctrl 0	Ctrl 1	NA	NA

控制信號(hào)和切換狀態(tài)

表1：?jiǎn)蜗蜷_(kāi)關(guān)切換狀態(tài)對(duì)應(yīng)的引腳控制信號(hào)

Ctrl 0	0	0	1	1	0	0	1	1
Ctrl 1	0	1	0	1	0	1	0	1
Optical Path	IN→OUT 1	IN→OUT 2	IN→OUT 3	IN→OUT 4	OUT4→IN	OUT3→IN	OUT2→IN	OUT1→IN

表2：雙向開(kāi)關(guān)切換狀態(tài)對(duì)應(yīng)的引腳控制信號(hào)

Ctrl 0	0	0	1	1
Ctrl 1	0	1	0	1
Optical Path	INOUT 1	INOUT 2	INOUT 3	INOUT 4

四、1×4/1x8微秒級(jí)雙向磁光開(kāi)關(guān)電控參數(shù)

參數(shù)	規(guī)格	單位
切換速度	200~400	μs
開(kāi)關(guān)電壓(VCC)	5 (+/-5%)	V
開(kāi)關(guān)電流	< 200	mA
脈沖寬度	1000	μs
頻率	<800	Hz

備注：超過(guò)此驅(qū)動(dòng)電壓會(huì)損壞器件。

1x8微秒級(jí)雙向磁光開(kāi)關(guān)

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