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硅基芯片

芯片

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ZGSOI 納秒光開關芯片陣列

更新時間：2025-05-10

型號：ZG

瀏覽量：2797

SOI 納秒光開關芯片陣列該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應實現(xiàn)納秒級高速響應的光路切換，實現(xiàn)了多通道光開關陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅(qū)動電路一體化光電封裝，熱電混調(diào)，數(shù)字化驅(qū)動，偏振相關性小，插入損耗低
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ZG9bit 可調(diào)光延時線芯片 SOI 硅光子

更新時間：2025-05-10

型號：ZG

瀏覽量：3026

9bit 可調(diào)光延時線芯片 SOI 硅光子集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產(chǎn)品。采用二進制多級時延回路結構，芯片集成時延切換開關和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路，延時切換時間達到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內(nèi)單級延時損耗低至 0.8dB/bit
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ZG9bit 可調(diào)光延時線芯片 SOI 硅光子技術

更新時間：2025-05-10

型號：ZG

瀏覽量：2880

9bit 可調(diào)光延時線芯片 SOI 硅光子技術集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產(chǎn)品。采用二進制多級時延回路結構，芯片集成時延切換開關和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路，延時切換時間達到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內(nèi)單級延時損耗低至 0.8dB/bit
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ZG9bit 可調(diào)光延時線芯片

更新時間：2025-05-10

型號：ZG

瀏覽量：2812

9bit 可調(diào)光延時線芯片片集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產(chǎn)品。采用二進制多級時延回路結構，芯片集成時延切換開關和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路，延時切換時間達到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內(nèi)單級延時損耗低至 0.8dB/bit
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ZG單片集成 9bit 可調(diào)光延時線芯片

更新時間：2025-05-10

型號：ZG

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單片集成 9bit 可調(diào)光延時線芯片片集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產(chǎn)品。采用二進制多級時延回路結構，芯片集成時延切換開關和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路，延時切換時間達到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內(nèi)單級延時損耗低至 0.8dB/bit
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ZGSOI單片集成 9bit 可調(diào)光時延線芯片

更新時間：2025-05-10

型號：ZG

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SOI單片集成 9bit 可調(diào)光時延線芯片片集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產(chǎn)品。采用二進制多級時延回路結構，芯片集成時延切換開關和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路，延時切換時間達到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內(nèi)單級延時損耗低至 0.8dB/bit
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ZG硅基單片集成 9bit 可調(diào)光時延線芯片

更新時間：2025-05-10

型號：ZG

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硅基單片集成 9bit 可調(diào)光時延線芯片片集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產(chǎn)品。采用二進制多級時延回路結構，芯片集成時延切換開關和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路，延時切換時間達到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內(nèi)單級延時損耗低至 0.8dB/bit
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ZGSOI納秒光開關芯片陣列

更新時間：2025-05-10

型號：ZG

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SOI納秒光開關芯片陣列該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應實現(xiàn)納秒級高速響應的光路切換，實現(xiàn)了多通道光開關陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅(qū)動電路一體化光電封裝，熱電混調(diào)，數(shù)字化驅(qū)動，偏振相關性小，插入損耗低
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